清洗的注意事项：
(1)关机重启后，时间间隔1分钟以上，否则可能会造成电气损坏；
(2)设备运行中，腐蚀，注意去离子水流量不得超过允许值，否则可能由于排放受阻而造成机器损坏；
(3)每次运行完毕后取出片子时，注意卡塞口是否朝上，金属腐蚀清洗，纠正后再取出，否则片子会掉出来；
(4)一旦发现水路的关联件出现“漏水”、“滴水”现象应立即关机，检修后再运行。
半导体清洗机湿式清洗制程中，主要应用项目包含晶圆清洗与湿式蚀刻两项，半导体腐蚀机，晶圆 (湿式) 清洗制程主要是希望藉由化学药品与清洗设备，清除来自周遭环境所附着在晶圆表面的脏污，以达到半导体组件电气特性的要求与可靠度。
氨水加氧化剂清洗液
氨水加氧化剂清洗液配方为: NH4OH∶H2O2∶H2O=1∶10∶10~1∶20∶20，温度为25~40℃，时间10~30min。由于这种清洗液具有碱性、氧化性和络合性，可以发生氧化反应、产生微蚀刻作用，以达到去除表面颗粒的目的，可以去除一些有机污染物及部分重金属离子污染物。
