张家港晋宇达电子科技有限公司
光刻机/紫外曝光机（Mask Aligner) 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，北京半导体前道设备，光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻，半导体前道设备，所以叫 Mask Alignment System.一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。
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接近式曝光（Proximity Printing）:掩膜板与光刻胶基底层保留一个微小的缝隙（Gap），杭州半导体前道设备，Gap大约为0～200μm。可以有效避免与光刻胶直接接触而引起的掩膜板损伤，使掩膜和光刻胶基底能耐久使用；掩模寿命长（可提高10 倍以上），图形缺陷少。接近式在现代光刻工艺中应用最为广泛。
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