表面清洗正成为此类半导体加工中不断出现的问题。这是因为衬底晶体的低劣质量（而不是其表面洁净度）不再是限定与那些材料有关的制造良率的主导因素。随着各种半导体材料衬底单晶质量的提高，晶圆清洗设备，考虑因素就会变化，会对清洗技术给予更加密切的关注。
为了应对硅表面的非平面性问题，清洗，晶圆清洗技术至少受到三个不同前沿加工技术的挑战。首先涉及的是CMOS加工。在器件几何形状不断减小时，晶圆清洗机，尖端数字CMOS技术方面的挑战是保持栅结构有足够的电容密度，这是在栅长度减小时维持足够高驱动电流所需要的。一个途径是采用比SiO2介电常数高的栅电介质，另一途径是通过三维结构MOS栅极以增加栅面积又不增加单元电路面积，再一个途径就是二者的结合。
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