像兆频超声搅动这样的物理辅助手段对结构损伤和图形坍塌等有潜在影响，正在对其改进，以便在保持微粒去除工艺效率的同时不对图形完整性产生有害影响。考虑到表面形态的原子级恶化都可能对器件性能会有致命影响，即使像DI水清洗等这些看起来最良性的清洗程序元素也必须重新评估。
干法清洗：
对于已经氢还原的MCP，因为二次电子发射层已经形成，半导体，如果采用化学清洗或湿法清洗容易造成对MCP电性能的破坏，并可能产生清洗介质对MCP的再次污染。因此氢还原后的MCP，半导体采购，一般选用干法清洗，半导体报价，主要包括等离子清洗、辉光放电、紫外清洗等清洗技术。
为了应对硅表面的非平面性问题，晶圆清洗技术至少受到三个不同前沿加工技术的挑战。首先涉及的是CMOS加工。在器件几何形状不断减小时，半导体公司，尖端数字CMOS技术方面的挑战是保持栅结构有足够的电容密度，这是在栅长度减小时维持足够高驱动电流所需要的。一个途径是采用比SiO2介电常数高的栅电介质，另一途径是通过三维结构MOS栅极以增加栅面积又不增加单元电路面积，再一个途径就是二者的结合。
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