RCA清洗法 ：
最初，晶圆清洗设备，人们使用的清洗方法没有可依据的标准和系统化。1965年，碱腐蚀清洗设备， RCA（美国无线电公司）研发了用于硅晶圆清洗的RCA清洗法，并将其应用于 RCA元件制作上。该清洗法成为以后多种前后道清洗工艺流程的基础，以后大多数工厂中使用的清洗工艺基本是基于最初的RCA清洗法。
随着微粒和金属污染的数量级逐渐减小，清洗设备，以及对这方面的污染控制非常有效，现在更多注意的是有机污染和表面状态相关问题。用简单的灯清洗法可以把有机污染从Si表面除去。此外，应特别注意溶解在水内和气相的臭氧在控制有机污染中的作用。
清洗设备在主要清洗物质依制程不同而清除对象而有所差异，Wet Station主要清除物质为污染微粒、Organic与 MetalIon、NativeOxide等。而单晶圆设备则对污染微粒与金属有较佳的去除效果。然而，随着半导体厂着重于缩短时间、降低成本、更好的制程表现、低污染与低耗能等诉求，目前全球各大设备厂也不断以单芯片清洗设备为主要研发机种。
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