就清洗媒介来说，湿法清洗仍然是现代先进晶圆清洗工艺的主力。虽然Si技术中的清洗化学材料与最初RCA的配方相差不大，但整体工艺最明显的改变包括：采用了非常稀释的溶液；简化工艺；广泛使用臭氧水。
清洗设备在主要清洗物质依制程不同而清除对象而有所差异，有机清洗，Wet Station主要清除物质为污染微粒、Organic与 MetalIon、NativeOxide等。而单晶圆设备则对污染微粒与金属有较佳的去除效果。然而，随着半导体厂着重于缩短时间、降低成本、更好的制程表现、低污染与低耗能等诉求，有机清洗机厂家，目前全球各大设备厂也不断以单芯片清洗设备为主要研发机种。
氨水加氧化剂清洗液
氨水加氧化剂清洗液配方为: NH4OH∶H2O2∶H2O=1∶10∶10~1∶20∶20，温度为25~40℃，时间10~30min。由于这种清洗液具有碱性、氧化性和络合性，有机清洗机，可以发生氧化反应、产生微蚀刻作用，以达到去除表面颗粒的目的，可以去除一些有机污染物及部分重金属离子污染物。
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