为了半导体清洗技术能满足不断出现的新需求，必须对现有工艺进行调整和修改。随着纵向尺寸持续缩小，有机清洗机价格，清洗操作过程中的材料损失和表面粗糙就会成为必须关注的领域。将微粒去除而又没有材料损失和图形损伤是最基本的要求，因此必须考虑周全并有所折衷。
RCA清洗法：依靠溶剂、酸、表面活性剂和水，有机清洗，在不破坏晶圆表面特征的情况下通过喷射、净化、氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、有机物及金属离子污染。在每次使用化学品后都要在超纯水（UPW）中彻底清洗。以下是常用清洗液及作用。
表面清洗正成为此类半导体加工中不断出现的问题。这是因为衬底晶体的低劣质量（而不是其表面洁净度）不再是限定与那些材料有关的制造良率的主导因素。随着各种半导体材料衬底单晶质量的提高，考虑因素就会变化，会对清洗技术给予更加密切的关注。
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