RCA清洗法：依靠溶剂、酸、表面活性剂和水，SPM清洗，在不破坏晶圆表面特征的情况下通过喷射、净化、氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、有机物及金属离子污染。在每次使用化学品后都要在超纯水（UPW）中彻底清洗。以下是常用清洗液及作用。
半导体硅（芯）片清洗机：
该设备主要用于清除硅（芯）片表面的废屑、金属离子等物质，SPM，是硅（芯）片生产过程中重要工序。设备主要技术特点：1.可靠的控制系统；2.触摸屏控制显示 ；3.可设置和存储工艺菜单；4.高压去离子水泵5.喷头H轴Y轴调节6.在线电阻率检测水质；7.清洗后高纯氮气干燥模块；8.自动排水装置；9.对硅片定位框架的安全定位。
就清洗媒介来说，湿法清洗仍然是现代先进晶圆清洗工艺的主力。虽然Si技术中的清洗化学材料与最初RCA的配方相差不大，但整体工艺最明显的改变包括：采用了非常稀释的溶液；简化工艺；广泛使用臭氧水。
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