RCA清洗附加兆声能量后，可减少化学品及DI 水的消耗量，缩短晶片在清洗液中的浸蚀时间，SPM清洗，减轻湿法清洗的各向同性对积体电路特征的影响，增加清洗液使用寿命。
表面清洗正成为此类半导体加工中不断出现的问题。这是因为衬底晶体的低劣质量（而不是其表面洁净度）不再是限定与那些材料有关的制造良率的主导因素。随着各种半导体材料衬底单晶质量的提高，SPM清洗机，考虑因素就会变化，SPM，会对清洗技术给予更加密切的关注。
在清洗工艺中，去除刻蚀后的光刻胶残渣是半导体行业的一大技术难点，尤其是经过高浓度离子注入的光刻胶，注入的阳离子和光刻胶中的碳形成很强的化学键，SPM腐蚀设备，使光刻胶表面高度交联，形成一层高度致密、耐腐蚀的碳化硬壳，大大增加了光刻胶的去除难度。
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