特殊的电应用（如高温、大功率以及超高速）和光应用（如蓝光发射或UV检测）中有不断增长的提高性能的需求，晶圆清洗，这要求大大地改进硅以外的许多半导体的制造技术。
这些材料的例子包括锗，昆山晶圆清洗系统，因为它有高于Si的电子迁移率，有可能与高-k栅介质集成；加工应力沟道Si MOSFET所需的SiGe；以及碳化硅SiC，晶圆清洗机厂家，其带隙很宽。除了最*先进的GaAs外，像GaN、InAs、InSb、ZnO等等一些Ⅲ-Ⅴ族半导体也越来越引起人们的兴趣。
就清洗媒介来说，湿法清洗仍然是现代先进晶圆清洗工艺的主力。虽然Si技术中的清洗化学材料与最初RCA的配方相差不大，但整体工艺最明显的改变包括：采用了非常稀释的溶液；简化工艺；广泛使用臭氧水。
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