湿法清洗 ：
湿法清洗采用液体化学溶剂和DI水氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、有机物及金属离子污染。通常采用的湿法清洗有RCA清洗法、稀释化学法、 IMEC清洗法、单晶片清洗等。
苏州晶淼半导体设备有限公司对设备进行人性化、个性化设计，极大限度的将客户的想法转化为实际应用。能完全满足规模化生产和研发需求。 天道酬勤，徐州腐蚀，商道酬信！真诚守信是我们的原则，我们的目标是提升中国湿制程设备制造水平和服务，成为湿制程设备供应商的典范！
氨水加氧化剂清洗液
氨水加氧化剂清洗液配方为: NH4OH∶H2O2∶H2O=1∶10∶10~1∶20∶20，湿制程腐蚀机，温度为25~40℃，时间10~30min。由于这种清洗液具有碱性、氧化性和络合性，可以发生氧化反应、产生微蚀刻作用，以达到去除表面颗粒的目的，晶圆腐蚀台，可以去除一些有机污染物及部分重金属离子污染物。
超级电容电池和锂电池在环境温度较高连续使用条件下出现高温、充电不足、爆裂的现象，与超级电容单体制造过程中采用的材料纯度、设备及工艺有非常直接的因果关联。
传统的真空干燥方法是真空干燥后又将超级电容单体暴露在大气环境，水气再次进入超级电容单体内，从而导致超级电容性能及技术指标低下。
全自动超级电容真空干燥系统在各单个制备工序以及在从一道工序转移到下一道工序的过程中完全实现高真空环境；有效排除超级电容CELL内部水、气、杂质的影响；从而提高功率密度，降低内阻，改善高频特性；极大地提升了超级电容单体和模组的一致性及使用寿命等技术参数，同时生产效率数倍提高。
半导体清洗机湿式清洗制程中，主要应用项目包含晶圆清洗与湿式蚀刻两项。至于脏污的来源，不外乎设备本身材料产生、现场作业员或制程工程师人体自身与动作的影响、化学材料或制程药剂残留或不纯度的发生，以及制程反应产生物的结果，尤其是制程反应产生物一项，更成为制程污染主要来源。
苏州晶淼半导体设备有限公司致力于向客户提供湿法制程刻蚀设备、清洗设备、高端pp/pvc通风柜/厨、cds化学品集中供液系统一站式解决方案.
