按照清洗机方法的不同，湿制程腐蚀台，也概略分为物理清洗机与化学清洗机：垄断力学、声学、光学，电学、热学的情理，晶圆腐蚀台，依靠外来能量的劝化，如机械答辩、超声波、负压、低压．)中击。紫内线、蒸汽等去除物体外表污垢的方法叫物理清洗机；依靠化学反馈的劝化，垄断化学药品或此外溶剂革除物体外表污垢的方法叫化学清洗机．如用各种有机或有机酸去除物体外表的锈迹、水垢，用腐蚀剂去除物体外表的色斑，用杀菌剂。消毒剂杀灭微生物并去除霉斑等．物理清洗机与化学清洗机都存在着各自的优弊端，连云港腐蚀，又存在很好的互补性。在实际应用过程当中，通常凡是把二者涣散起来应用，以得到更好的清洗机成就。
就清洗媒介来说，湿法清洗仍然是现代先进晶圆清洗工艺的主力。虽然Si技术中的清洗化学材料与最初RCA的配方相差不大，湿制程腐蚀机，但整体工艺最明显的改变包括：采用了非常稀释的溶液；简化工艺；广泛使用臭氧水。
晶圆清洗是半导体制造典型工序中最常应用的加工步骤。就硅来说，清洗操作的化学制品和工具已非常成熟，有多年广泛深入的研究以及重要的工业设备的支持。所以，硅清洗技术在所有具实际重要性的半导体技术中是最为成熟的。第*一个完整的、基于科学意义上的清洗程序在1970年就提出了，这是专门设计用于清除Si表面的微粒、金属和有机污染物。
