等离子去除光致抗蚀剂
在晶片制造工艺中，等离子，使用氧等离子体去除晶片表面抗蚀刻(photoresist)。干式工艺唯’一的缺点是等离子体区的活性粒子可能会对一些电敏感性的设备造成损害。为了解决这一问题，人们发展了几种工艺，其一是用一个法拉第装置以隔离轰击晶片表面的电子和离子;另一种方法是将清洗蚀刻对象置于活性等离子区之外。(顺流等离子清洗)蚀刻率因电压、气压以及胶的量而定，等离子发生器，典型的刻蚀率为100nm/min，正常需要10min。
等离子体表面处理仪的产品特征：
* 紧凑的台式设备、没有RF放射、符合CE安全标准。
* 功率为低、中、高三档可调。
* 两种型号：
基本型：PDC－32G－2
清洗舱：长6.5英寸，等离子处理设备，直径3英寸；
整机尺寸：8英寸H×10英寸W×8英寸D
扩展型：PDC－002
清洗舱：长6.5英寸，直径6英寸；舱盖具备铰链和磁力锁，并有一个可视窗口。
整机尺寸：11英寸H×18英寸W×9英寸D
等离子体表面处理仪除了PDC-32G-2 基础型和PDC-002 扩展型 两种常规机型的等离子清洗机以外，我们还提供以下配件选项：气流混合器 配套进口真空干泵 进口真空油泵
