所谓直接等离子体，亦称作反应离子蚀刻，是等离子的一种直接浸蚀形式。它的主要优势是高的
蚀刻率和高的均匀性。直接等离子体具有较低浸蚀，但工件却暴露在射线区。顺流等离子是种较弱的工艺，它适合去除厚为1～5nm的薄层。在射线区或等离子中，人们担心工件受到损坏，目前，这种担心还没有证据，射频等离子清洗，看来只有在重复的高射线区和延长处理时间到60～120min才能发生，正常情况下，这样的条件只在大的薄片及不是短时的清洗中。
等离子体清洗机理
等离子体技术在本世纪60年代起就开始应用于化学合成、薄膜制备、表面处理和精细化工等领域，在大规模或超大规模集成电路工艺干法化、低温化方面，清洗，近年来也开发应用了等离子体聚合、等离子体蚀刻、等离子体灰化及等离子体阳极氧化等全干法工艺技术。等离子清洗技术也是工艺干法化的进步成果之一。
与湿法清洗不同，等离子清洗的机理是依靠处于“等离子态”的物质的“活化作用”达到去除物体表面污渍的目的。从目前各类清洗方法来看，可能等离子体清洗也是所有清洗方法中最为彻底的剥离式的清洗。
