用等离子体清洗硅晶片表面上的光致抗蚀膜，称为腐蚀去除的脱膜过程。
图Io—35表示的是用等离子体对硅晶片的刻蚀过程和光致抗蚀膜的去除过程。是用不活泼气体CF4与活泼气体O2组成的等离子体共同作用。
对硅晶片的刻蚀目的是去除硅晶片表面未被光致抗蚀膜保护的二氧化硅。使用的刻蚀气体为CF4；刻蚀条件为200W，清洗， 40P9(0.3Torr)等离子体处理6～8min。其反应机理为： SiO2+4F*——>SiF4+02
由图10-35中的a．至b．的变化可见此过程。
而光致抗蚀膜的脱膜过程使用的等离子体处理所用的气体为O2；脱膜条件为 400W，OLED清洗，133.3Pa(L 0Torr)等离子体：处理10min。
高温等离子体只有在温度足够高时发生的。恒星不断地发出这种等离子体，组成了宇宙的99%。低温等离子体是在常温下发生的等离子体（虽然电子的温度很高）。低温等离子体可以被用于氧化、变性等表面处理或者在有机物和无机物上进行沉淀涂层处理。
等离子体（Plasma）是一种由自由电子和带电离子为主要成分的物质形态，广泛存在于宇宙中，常被视为是物质的第四态，被称为等离子态，或者“超气态”，也称“电浆体”。等离子体具有很高的电导率，与电磁场存在极强的耦合作用。等离子体是由克鲁克斯在1879年发现的，柔性板清洗，1928年美国科学家欧文·朗缪尔和汤克斯（Tonks）首‘次将“等离子体”（plasma）一词引入物理学，
用来描述气体放电管里的物质形态[1]。严格来说，等离子体是具有高位能动能的气体团，等离子体的总带电量仍是中性，pcb清洗，借由电场或磁场的高动能将外层的电子击出，结果电子已不再被束缚于原子核，而成为高位能高动能的自由电子。
