干法清洗：
对于已经氢还原的MCP，因为二次电子发射层已经形成，如果采用化学清洗或湿法清洗容易造成对MCP电性能的破坏，并可能产生清洗介质对MCP的再次污染。因此氢还原后的MCP，一般选用干法清洗，腐蚀，主要包括等离子清洗、辉光放电、紫外清洗等清洗技术。
清洗安全操作规范：
(1)药品使用完后，必须把瓶盖拧紧并放到安全处；
(2)工作台前的外窗门，在使用时和使用后，清洗腐蚀机，均应拉下封闭，碱腐蚀，防止试剂污染晶片和超净间，危害员工健康；
(3)废液回收时一定要两人同时在场。
RCA清洗附加兆声能量后，可减少化学品及DI 水的消耗量，缩短晶片在清洗液中的浸蚀时间，减轻湿法清洗的各向同性对积体电路特征的影响，增加清洗液使用寿命。
