等离子去除光致抗蚀剂
在晶片制造工艺中，清洗，使用氧等离子体去除晶片表面抗蚀刻(photoresist)。干式工艺唯’一的缺点是等离子体区的活性粒子可能会对一些电敏感性的设备造成损害。为了解决这一问题，人们发展了几种工艺，COG清洗，其一是用一个法拉第装置以隔离轰击晶片表面的电子和离子;另一种方法是将清洗蚀刻对象置于活性等离子区之外。(顺流等离子清洗)蚀刻率因电压、气压以及胶的量而定，苏州LCD基板清洗，典型的刻蚀率为100nm/min，正常需要10min。
所述等离子体清洗设备包括多个等离子体发生筒；所述等离子体发生筒的一端为进气口，另一端为出气口，AFC清洗，每个所述等离子体发生筒将位于其内部的气体激发为等离子体；所述多个等离子体发生筒阵列设置；且所述多个等离子体发生筒下端的开孔交错设置。上述等离子体清洗设备输入到玻璃基板表面的等离子体可以均匀地将玻璃基板覆盖，减少未被等离子体覆盖的死角，从而可以保证对玻璃基板的清洗效果。
