所谓直接等离子体，亦称作反应离子蚀刻，是等离子的一种直接浸蚀形式。它的主要优势是高的
蚀刻率和高的均匀性。直接等离子体具有较低浸蚀，但工件却暴露在射线区。顺流等离子是种较弱的工艺，AFC清洗，它适合去除厚为1～5nm的薄层。在射线区或等离子中，人们担心工件受到损坏，目前，这种担心还没有证据，清洗，看来只有在重复的高射线区和延长处理时间到60～120min才能发生，正常情况下，这样的条件只在大的薄片及不是短时的清洗中。
等离子去除光致抗蚀剂
在晶片制造工艺中，lcd等离子清洗，使用氧等离子体去除晶片表面抗蚀刻(photoresist)。干式工艺唯’一的缺点是等离子体区的活性粒子可能会对一些电敏感性的设备造成损害。为了解决这一问题，人们发展了几种工艺，其一是用一个法拉第装置以隔离轰击晶片表面的电子和离子;另一种方法是将清洗蚀刻对象置于活性等离子区之外。(顺流等离子清洗)蚀刻率因电压、气压以及胶的量而定，典型的刻蚀率为100nm/min，正常需要10min。
