等离子去除光致抗蚀剂
在晶片制造工艺中，绑定清洗，使用氧等离子体去除晶片表面抗蚀刻(photoresist)。干式工艺唯’一的缺点是等离子体区的活性粒子可能会对一些电敏感性的设备造成损害。为了解决这一问题，人们发展了几种工艺，其一是用一个法拉第装置以隔离轰击晶片表面的电子和离子;另一种方法是将清洗蚀刻对象置于活性等离子区之外。(顺流等离子清洗)蚀刻率因电压、气压以及胶的量而定，清洗，典型的刻蚀率为100nm/min，等离子清洗设备仪，正常需要10min。
等离子体清洗技术的清洗原理、清洗类型、清洗设备及清 洗特点，分析了等离子体清洗技术的发展现状，着重介绍了等离子体清洗技术在航空航天制造业中铝合金表面涂装前处理、电连接器涂胶前处理、复合材料表面处理 和芳纶制件表面处理等应用，并分析了其在航空航天领域的应用前景。
随着微电子技术及工艺的飞速发展，湿法清洗技术越来越暴露出其一定的局限性。然而，干法清洗技术不但能够避免湿法清洗带来的环境污染问题，同时也使生产效率也大大得到了提高。通过大量的实践，等离子体清洗技术在干法清洗中优势非常明显。
