影响超声清洗的因素
清洗液的流动速度对超声清洗效果也有很大影响，是在清洗过程中液体静止不流动，硅腐蚀设备，这时泡的生长和闭合运动能够充分完成。如果清洗液的流速过快，则有些空化核会被流动的液体带走有些空化核则在没有达到生长闭合运动整过程时就离开声场，因而使总的空化 强度降低。在实际清洗过程中有时为避免污物重新粘附在清洗件上．清洗液需要不断流动更新，腐蚀，此时应注意清洗液的流动速度不能过快，以免降低清洗效果。
清洗液中气体的含量对超声波清洗效果也有影响。在清洗液中如果有残存气体(非空化核)会增加声传播损失，此外在空化泡运动过程中扩散到泡中的气体，晶圆腐蚀机，在空化泡崩溃时会降低冲击波强度而削弱清洗作用。因此有些超声清洗设备具有除气功能，在开机时先进行低于 空化阈值的功率水平作振动，以脉冲或间歇方式振动进行除气．然后功率加到正常清洗的功率水平进行超声清洗。
氨水加氧化剂清洗液
氨水加氧化剂清洗液配方为: NH4OH∶H2O2∶H2O=1∶10∶10~1∶20∶20，温度为25~40℃，半导体腐蚀机，时间10~30min。由于这种清洗液具有碱性、氧化性和络合性，可以发生氧化反应、产生微蚀刻作用，以达到去除表面颗粒的目的，可以去除一些有机污染物及部分重金属离子污染物。
半导体器件技术飞速地扩展进入主流硅逻辑和模拟应用以外的领域。在显示技术、太阳电池板技术和一些其它大面积光电系统中，其表面需要加工的材料可能包括玻璃、ITO（铟锡氧化物）或柔性塑料衬底等等。
