硅材料表面的颗粒、有机物、金属、吸附分子、微粗糙度、自然氧化层等严重影响器件性能，晶圆酸洗台，清洗不佳引起的器件失效已超过集成电路制造中总损失的一半。因此，硅片清洗技术成为硅材料加工和半导体工艺研究的一大热点。
单晶片清洗 ：
大直径晶片的清洗采用上述方法不好保证其清洗过程的完成，晶圆腐蚀，通常采用单晶片清洗法，晶圆，其清洗过程是在室温下重复利 用DI-O 3/DHF清洗液，晶圆清洗设备，臭氧化的DI水（DI-O3 ）产生氧化硅，稀释的HF蚀刻氧化硅，同时清除颗粒和金属污染物。
在清洗工艺中，去除刻蚀后的光刻胶残渣是半导体行业的一大技术难点，尤其是经过高浓度离子注入的光刻胶，注入的阳离子和光刻胶中的碳形成很强的化学键，使光刻胶表面高度交联，形成一层高度致密、耐腐蚀的碳化硬壳，大大增加了光刻胶的去除难度。
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