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光刻机性能指标光刻机的主要性能指标有：支持基片的尺寸范围，深圳半导体前道设备，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。分辨率是对光刻工艺加工可以达到的最细线条精度的一种描述方式。
光刻的分辨率受受光源衍射的限制，所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。
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光刻胶污染掩膜板；掩膜板的磨损，半导体前道设备，容易损坏，常州半导体前道设备，寿命很低（只能使用5～25次）；容易累积缺陷；上个世纪七十年代的工业水准，杭州半导体前道设备，已经逐渐被接近式曝光方式所淘汰了，国产光刻机均为接触式曝光，国产光刻机的开发机构无法提供工艺要求更高的非接触式曝光的产品化。
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