清洗设备,苏州晶淼半导体,碱腐蚀清洗设备

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清洗设备,苏州晶淼半导体,碱腐蚀清洗设备

氨水加氧化剂清洗液   氨水加氧化剂清洗液配方为: NH4OH∶H2O2∶H2O=1∶10∶10~1∶20∶20,碱腐蚀清洗设备,温度为25~40℃,时间10~30min。由于这种清洗液具有碱性、氧化性和络合性,可以发生氧化反应、产生...


品牌 苏州晶淼半导体
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氨水加氧化剂清洗液

   氨水加氧化剂清洗液配方为: NH4OH∶H2O2∶H2O=1∶10∶10~1∶20∶20,碱腐蚀清洗设备,温度为25~40℃,时间10~30min。由于这种清洗液具有碱性、氧化性和络合性,可以发生氧化反应、产生微蚀刻作用,以达到去除表面颗粒的目的,刻蚀清洗设备,可以去除一些有机污染物及部分重金属离子污染物。




清洗安全操作规范:

(1)药品使用完后,必须把瓶盖拧紧并放到安全处;  

(2)工作台前的外窗门,在使用时和使用后,均应拉下封闭,防止试剂污染晶片和超净间,危害员工健康;

(3)废液回收时一定要两人同时在场。



     半导体清洗机湿式清洗制程中,主要应用项目包含晶圆清洗与湿式蚀刻两项。至于脏污的来源,清洗设备,不外乎设备本身材料产生、现场作业员或制程工程师人体自身与动作的影响、化学材料或制程药剂残留或不纯度的发生,以及制程反应产生物的结果,尤其是制程反应产生物一项,更成为制程污染主要来源。


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