晶圆清洗是半导体制造典型工序中最常应用的加工步骤。就硅来说，清洗操作的化学制品和工具已非常成熟，有多年广泛深入的研究以及重要的工业设备的支持。所以，湿法腐蚀清洗设备，硅清洗技术在所有具实际重要性的半导体技术中是最为成熟的。第*一个完整的、基于科学意义上的清洗程序在1970年就提出了，湿法腐蚀，这是专门设计用于清除Si表面的微粒、金属和有机污染物。
超声清洗：
腐蚀后的MCP是由微米级细孔构成的复杂网状结构，南通湿法腐蚀，普通的清洗方法一般不能达到孔内，而孔内芯料的反应生成物及其他污染物会在后序工艺中会产生重复污染。无论是采用有机溶剂或是清洗液清洗都容易引入新的污染源，然而利用超声波清洗技术却可以实现无重复污染，而且能深入MCP孔内的效果。
清洗安全操作规范：
(1)药品使用完后，必须把瓶盖拧紧并放到安全处；
(2)工作台前的外窗门，在使用时和使用后，均应拉下封闭，防止试剂污染晶片和超净间，危害员工健康；
(3)废液回收时一定要两人同时在场。
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