干法清洗：
对于已经氢还原的MCP，湿法腐蚀设备价格，因为二次电子发射层已经形成，如果采用化学清洗或湿法清洗容易造成对MCP电性能的破坏，并可能产生清洗介质对MCP的再次污染。因此氢还原后的MCP，一般选用干法清洗，南通湿法腐蚀，主要包括等离子清洗、辉光放电、紫外清洗等清洗技术。
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RCA清洗法 ：
最初，湿法腐蚀，人们使用的清洗方法没有可依据的标准和系统化。1965年， RCA（美国无线电公司）研发了用于硅晶圆清洗的RCA清洗法，并将其应用于 RCA元件制作上。该清洗法成为以后多种前后道清洗工艺流程的基础，以后大多数工厂中使用的清洗工艺基本是基于最初的RCA清洗法。
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