氨水加氧化剂清洗液：
在表面污物被氧化和刻蚀的同时也会发生MCP表面粗糙现象，造成MCP表面“发毛”和划道或路子等伤害，酸腐蚀质量，造成产品质量下降，酸腐蚀，因此应控制合适的温度和清洗时间，并及时用水漂洗干净。
晶圆清洗是半导体制造典型工序中最常应用的加工步骤。就硅来说，酸腐蚀机，清洗操作的化学制品和工具已非常成熟，有多年广泛深入的研究以及重要的工业设备的支持。所以，硅清洗技术在所有具实际重要性的半导体技术中是最为成熟的。第*一个完整的、基于科学意义上的清洗程序在1970年就提出了，这是专门设计用于清除Si表面的微粒、金属和有机污染物。
就清洗媒介来说，湿法清洗仍然是现代先进晶圆清洗工艺的主力。虽然Si技术中的清洗化学材料与最初RCA的配方相差不大，但整体工艺最明显的改变包括：采用了非常稀释的溶液；简化工艺；广泛使用臭氧水。
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