随着微粒和金属污染的数量级逐渐减小，酸腐蚀，以及对这方面的污染控制非常有效，现在更多注意的是有机污染和表面状态相关问题。用简单的灯清洗法可以把有机污染从Si表面除去。此外，应特别注意溶解在水内和气相的臭氧在控制有机污染中的作用。
在半导体湿式清洗制程中，晶圆 (湿式) 清洗制程主要是希望藉由化学药品与清洗设备，清除来自周遭环境所附着在晶圆表面的脏污，江苏酸腐蚀，以达到半导体组件电气特性的要求与可靠度。过去 RCA 多槽湿式清洗一直是晶圆清洗的主要技术，不过随着近年来制程与清洗设备的演进，不但在清洗制程中不断产生新的技术，苏州酸腐蚀，也随着半导体后段封装技术的演进，酸腐蚀机，清洗设备也逐渐进入封装厂的生产线中。
半导体清洗机湿式清洗制程中，主要应用项目包含晶圆清洗与湿式蚀刻两项。至于脏污的来源，不外乎设备本身材料产生、现场作业员或制程工程师人体自身与动作的影响、化学材料或制程药剂残留或不纯度的发生，以及制程反应产生物的结果，尤其是制程反应产生物一项，更成为制程污染主要来源。
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