氨水加氧化剂清洗液
氨水加氧化剂清洗液配方为: NH4OH∶H2O2∶H2O=1∶10∶10~1∶20∶20，温度为25~40℃，时间10~30min。由于这种清洗液具有碱性、氧化性和络合性，晶圆清洗机，可以发生氧化反应、产生微蚀刻作用，以达到去除表面颗粒的目的，可以去除一些有机污染物及部分重金属离子污染物。
半导体水基清洗剂主要用于清洗表面沾污有石蜡、油脂和油脂类高分子化合物以及表面沾污有金属原子和金属离子等。在半导体分立器件和中、小规模集成电路中能够完全代替传统半导体清洗工艺中使用的清洗液。
干法清洗：
对于已经氢还原的MCP，半导体清洗机，因为二次电子发射层已经形成，清洗机，如果采用化学清洗或湿法清洗容易造成对MCP电性能的破坏，并可能产生清洗介质对MCP的再次污染。因此氢还原后的MCP，一般选用干法清洗，主要包括等离子清洗、辉光放电、紫外清洗等清洗技术。
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