清洗操作的注意事项：
在清洗机内作业时，晶圆清洗机，打开机器的通风设备，关闭外窗门，以防止有机溶剂气体扩散到清洗间，污染样品，损害操作人员健康； 保持清洗机内的清洁卫生，圆晶清洗，不摆放除超声设备、烧杯、花篮以外的其他设备。
在清洗工艺中，去除刻蚀后的光刻胶残渣是半导体行业的一大技术难点，尤其是经过高浓度离子注入的光刻胶，圆晶清洗机哪家好，注入的阳离子和光刻胶中的碳形成很强的化学键，使光刻胶表面高度交联，形成一层高度致密、耐腐蚀的碳化硬壳，大大增加了光刻胶的去除难度。
氨水加氧化剂清洗液
氨水加氧化剂清洗液配方为: NH4OH∶H2O2∶H2O=1∶10∶10~1∶20∶20，温度为25~40℃，时间10~30min。由于这种清洗液具有碱性、氧化性和络合性，可以发生氧化反应、产生微蚀刻作用，以达到去除表面颗粒的目的，可以去除一些有机污染物及部分重金属离子污染物。
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