清洗设备在主要清洗物质依制程不同而清除对象而有所差异，Wet Station主要清除物质为污染微粒、Organic与 MetalIon、NativeOxide等。而单晶圆设备则对污染微粒与金属有较佳的去除效果。然而，随着半导体厂着重于缩短时间、降低成本、更好的制程表现、低污染与低耗能等诉求，目前全球各大设备厂也不断以单芯片清洗设备为主要研发机种。
像兆频超声搅动这样的物理辅助手段对结构损伤和图形坍塌等有潜在影响，半导体酸洗机，正在对其改进，半导体腐蚀机，以便在保持微粒去除工艺效率的同时不对图形完整性产生有害影响。考虑到表面形态的原子级恶化都可能对器件性能会有致命影响，半导体清洗台，即使像DI水清洗等这些看起来最良性的清洗程序元素也必须重新评估。
基于APM（NH4OH:H2O2:H2O）的化学材料在微粒去除方面仍占主宰地位，但如果没有兆频超声波强化，半导体，其作用就不是很有效。基于最初RCA（HPM：HCl:H2O2:H2O）配方的去除金属的化学材料差不多都放弃了。
与洁净得多的抗蚀剂和化学材料结合在一起的创新化学是在这一领域成功的关键。此外，几何图形非常密集的器件制造的污染控制也推动了各种创新技术的研发，例如包括超临界CO2（SCCO2）清洗。
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