半导体清洗机湿式清洗制程中，主要应用项目包含晶圆清洗与湿式蚀刻两项。至于脏污的来源，半导体，不外乎设备本身材料产生、现场作业员或制程工程师人体自身与动作的影响、化学材料或制程药剂残留或不纯度的发生，以及制程反应产生物的结果，尤其是制程反应产生物一项，更成为制程污染主要来源。
氨水加氧化剂清洗液：
在表面污物被氧化和刻蚀的同时也会发生MCP表面粗糙现象，半导体湿法腐蚀设备，造成MCP表面“发毛”和划道或路子等伤害，半导体清洗机，造成产品质量下降，半导体清洗台，因此应控制合适的温度和清洗时间，并及时用水漂洗干净。
清洗设备在主要清洗物质依制程不同而清除对象而有所差异，Wet Station主要清除物质为污染微粒、Organic与 MetalIon、NativeOxide等。而单晶圆设备则对污染微粒与金属有较佳的去除效果。然而，随着半导体厂着重于缩短时间、降低成本、更好的制程表现、低污染与低耗能等诉求，目前全球各大设备厂也不断以单芯片清洗设备为主要研发机种。
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