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     RCA清洗法：依靠溶剂、酸、表面活性剂和水，在不破坏晶圆表面特征的情况下通过喷射、净化、氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、有机物及金属离子污染。在每次使用化学品后都要在超纯水（UPW）中彻底清洗。以下是常用清洗液及作用。

单晶片清洗 ：

      大直径晶片的清洗采用上述方法不好保证其清洗过程的完成，苏州半导体腐蚀机，通常采用单晶片清洗法，其清洗过程是在室温下重复利  用DI-O 3/DHF清洗液，臭氧化的DI水（DI-O3 ）产生氧化硅，稀释的HF蚀刻氧化硅，同时清除颗粒和金属污染物。

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