湿法清洗 :
湿法清洗采用液体化学溶剂和DI水氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、有机物及金属离子污染。通常采用的湿法清洗有RCA清洗法、稀释化学法、 IMEC清洗法、单晶片清洗等。
RCA清洗附加兆声能量后,可减少化学品及DI 水的消耗量,上海半导体腐蚀机,缩短晶片在清洗液中的浸蚀时间,减轻湿法清洗的各向同性对积体电路特征的影响,半导体腐蚀机,增加清洗液使用寿命。
氨水加氧化剂清洗液
氨水加氧化剂清洗液配方为: NH4OH∶H2O2∶H2O=1∶10∶10~1∶20∶20,山东半导体腐蚀机,温度为25~40℃,时间10~30min。由于这种清洗液具有碱性、氧化性和络合性,半导体腐蚀机厂家,可以发生氧化反应、产生微蚀刻作用,以达到去除表面颗粒的目的,可以去除一些有机污染物及部分重金属离子污染物。
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