清洗设备在主要清洗物质依制程不同而清除对象而有所差异，苏州湿法腐蚀机设备，Wet Station主要清除物质为污染微粒、Organic与 MetalIon、NativeOxide等。而单晶圆设备则对污染微粒与金属有较佳的去除效果。然而，随着半导体厂着重于缩短时间、降低成本、更好的制程表现、低污染与低耗能等诉求，目前全球各大设备厂也不断以单芯片清洗设备为主要研发机种。
干法清洗：
对于已经氢还原的MCP，南通湿法腐蚀机设备，因为二次电子发射层已经形成，山东湿法腐蚀机设备，如果采用化学清洗或湿法清洗容易造成对MCP电性能的破坏，湿法腐蚀机，并可能产生清洗介质对MCP的再次污染。因此氢还原后的MCP，一般选用干法清洗，主要包括等离子清洗、辉光放电、紫外清洗等清洗技术。
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