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光刻机紫外光源曝光系统最核心的部件之一是紫外光源。常见光源分为:紫外光（UV），g线：436nm;i线：365nm深紫外光（DUV），KrF 准分子激光：248 nm， ArF 准分子激光：193 nm极紫外光（EUV），10 ~ 15 nm对光源系统的要求
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扫描步进投影曝光（Scanning-Stepping Project Printing）。90年代末～至今，用于≤0.18μm工艺。采用6英寸的掩膜板按照4：1的比例曝光，曝光区域（Exposure Field）26×33mm。优点：增大了每次曝光的视场；提供硅片表面不平整的补偿；提高整个硅片的尺寸均匀性。但是，同时因为需要反向运动，增加了机械系统的精度要求。
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