干法清洗：
对于已经氢还原的MCP，昆山半导体清洗机，因为二次电子发射层已经形成，江苏半导体清洗机，如果采用化学清洗或湿法清洗容易造成对MCP电性能的破坏，半导体清洗机，并可能产生清洗介质对MCP的再次污染。因此氢还原后的MCP，一般选用干法清洗，主要包括等离子清洗、辉光放电、紫外清洗等清洗技术。
RCA清洗法：依靠溶剂、酸、表面活性剂和水，在不破坏晶圆表面特征的情况下通过喷射、净化、氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、有机物及金属离子污染。在每次使用化学品后都要在超纯水（UPW）中彻底清洗。以下是常用清洗液及作用。
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