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     基于APM(NH4OH:H2O2:H2O)的化学材料在微粒去除方面仍占主宰地位,但如果没有兆频超声波强化,碱腐蚀机,其作用就不是很有效。基于最初RCA(HPM:HCl:H2O2:H2O)配方的去除金属的化学材料差不多都放弃了

      与洁净得多的抗蚀剂和化学材料结合在一起的创新化学是在这一领域成功的关键。此外,几何图形非常密集的器件制造的污染控制也推动了各种创新技术的研发,徐州腐蚀,例如包括超临界CO2(SCCO2)清洗。



     像兆频超声搅动这样的物理辅助手段对结构损伤和图形坍塌等有潜在影响,酸腐蚀清洗台,正在对其改进,以便在保持微粒去除工艺效率的同时不对图形完整性产生有害影响。考虑到表面形态的原子级恶化都可能对器件性能会有致命影响,即使像DI水清洗等这些看起来最良性的清洗程序元素也必须重新评估。

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      晶圆清洗是半导体制造典型工序中最常应用的加工步骤。就硅来说,清洗操作的化学制品和工具已非常成熟,有多年广泛深入的研究以及重要的工业设备的支持。所以,硅清洗技术在所有具实际重要性的半导体技术中是最为成熟的。di一个完整的、基于科学意义上的清洗程序在1970年就提出了,这是专门设计用于清除Si表面的微粒、金属和有机污染物。