随着光刻技术的不断发展，盐城步进光刻机，光学光刻已从传统的G线、I线到，发展到远紫外，步进光刻机，197nm以及157nm，设备的占用成本越来越高，而随着集成电路设计尺寸的继续缩小，扬州步进光刻机，更为严格的套刻指标和巨额的设备成本，混合匹配使用将成为一种必然的需要。各种混合匹配，以及光学光刻之后下一代光刻系统的混合匹配是需要不断研究的新课题。
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光刻注意事项给出如下：
前烘
前烘的目的是去除胶模中的绝大部分溶剂，增强胶模的光敏性。还可以改善胶模的均匀性和黏附性。前烘温度不高，一般为100℃左右。
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