湿法清洗 ：
湿法清洗采用液体化学溶剂和DI水氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、有机物及金属离子污染。通常采用的湿法清洗有RCA清洗法、稀释化学法、 IMEC清洗法、单晶片清洗等。
苏州晶淼半导体设备有限公司对设备进行人性化、个性化设计，极大限度的将客户的想法转化为实际应用。能完全满足规模化生产和研发需求。 天道酬勤，商道酬信！真诚守信是我们的原则，我们的目标是提升中国湿制程设备制造水平和服务，盐城腐蚀，成为湿制程设备供应商的典范！
晶圆清洗是半导体制造典型工序中最常应用的加工步骤。就硅来说，湿制程腐蚀机，清洗操作的化学制品和工具已非常成熟，有多年广泛深入的研究以及重要的工业设备的支持。所以，硅清洗技术在所有具实际重要性的半导体技术中是最为成熟的。di一个完整的、基于科学意义上的清洗程序在1970年就提出了，BOE腐蚀设备，这是专门设计用于清除Si表面的微粒、金属和有机污染物。
影响超声清洗的因素
清洗液的流动速度对超声清洗效果也有很大影响，是在清洗过程中液体静止不流动，这时泡的生长和闭·运动能够充分完成。如果清洗液的流速过快，则有些空化核会被流动的液体带走有些空化核则在没有达到生长闭·运动整过程时就离开声场，因而使总的空化 强度降低。在实际清洗过程中有时为避免污物重新粘附在清洗件上．清洗液需要不断流动更新，酸腐蚀清洗设备，此时应注意清洗液的流动速度不能过快，以免降低清洗效果。
清洗液中气体的含量对超声波清洗效果也有影响。在清洗液中如果有残存气体(非空化核)会增加声传播损失，此外在空化泡运动过程中扩散到泡中的气体，在空化泡崩溃时会降低冲击波强度而削弱清洗作用。因此有些超声清洗设备具有除气功能，在开机时先进行低于 空化阈值的功率水平作振动，以脉冲或间歇方式振动进行除气．然后功率加到正常清洗的功率水平进行超声清洗。
