在半导体湿式清洗制程中，晶圆 (湿式) 清洗制程主要是希望藉由化学药品与清洗设备，清除来自周遭环境所附着在晶圆表面的脏污，以达到半导体组件电气特性的要求与可靠度。过去 RCA 多槽湿式清洗一直是晶圆清洗的主要技术，不过随着近年来制程与清洗设备的演进，不但在清洗制程中不断产生新的技术，也随着半导体后段封装技术的演进，硅腐蚀设备，清洗设备也逐渐进入封装厂的生产线中。
氨水加氧化剂清洗液
氨水加氧化剂清洗液配方为: NH4OH∶H2O2∶H2O=1∶10∶10~1∶20∶20，半导体腐蚀机，温度为25~40℃，时间10~30min。由于这种清洗液具有碱性、氧化性和络合性，可以发生氧化反应、产生微蚀刻作用，以达到去除表面颗粒的目的，可以去除一些有机污染物及部分重金属离子污染物。
超级电容电池和锂电池在环境温度较高连续使用条件下出现高温、充电不足、爆裂的现象，与超级电容单体制造过程中采用的材料纯度、设备及工艺有非常直接的因果关联。
传统的真空干燥方法是真空干燥后又将超级电容单体暴露在大气环境，湿制程腐蚀设备，水气再次进入超级电容单体内，从而导致超级电容性能及技术指标低下。
全自动超级电容真空干燥系统在各单个制备工序以及在从一道工序转移到下一道工序的过程中完全实现高真空环境；有效排除超级电容CELL内部水、气、杂质的影响；从而提高功率密度，降低内阻，改善高频特性；极大地提升了超级电容单体和模组的一致性及使用寿命等技术参数，同时生产效率数倍提高。
RCA清洗法 ：
最初，苏州腐蚀，人们使用的清洗方法没有可依据的标准和系统化。1965年， RCA（美国无线电公司）研发了用于硅晶圆清洗的RCA清洗法，并将其应用于 RCA元件制作上。该清洗法成为以后多种前后道清洗工艺流程的基础，以后大多数工厂中使用的清洗工艺基本是基于最初的RCA清洗法。
苏州晶淼半导体设备有限公司致力于向客户提供湿法制程刻蚀设备、清洗设备、高端pp/pvc通风柜/厨、cds化学品集中供液系统一站式解决方案。我们的产品广泛应用与微电子、半导体、光伏、光通信、led等行业及高等院校、研究所等等科技领域的生产和研发。
