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硅片腐蚀利用氢氧化钠对多晶硅腐蚀作用,去除硅片在多线切割锯切片时产生的表面损伤层,同时利用氢氧化钠对硅腐蚀的各向异性,争取表面较低反射率较低的表面织构。解释:①现有多晶硅片是由长方体晶锭在多线切割锯切成一片片多晶硅方片。由于切片是钢丝...


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硅片腐蚀利用氢氧化钠对多晶硅腐蚀作用,去除硅片在多线切割切片时产生的表面损伤层,同时利用氢氧化钠对硅腐蚀的各向异性,争取表面较低反射率较低的表面织构。解释:①现有多晶硅片是由长方体晶锭在多线切割锯切成一片片多晶硅方片。由于切片是钢丝在金刚砂溶液作用下多次往返削切成硅片,金刚砂硬度很高,会在硅片表面带来一定的机械损伤。如果损伤不去除,会影响太阳电池的填充因子。②氢氧化钠俗称烧碱,是在国民经济生产中大量应用化工产品。由电解食盐水而得,价格比较便宜,每500克6元。化学反应方程式为:2NaCl + 2H2O ==通电== 2NaOH + Cl2↑ + H2↑ 。分析纯氢氧化锂、氢氧化钾也可以与硅起反应,但价格较贵。如氢氧化锂每500克23元,用于镉-镍电池电解液中。③碱性腐蚀优点是反应生成物无·,不污染空气和环境。不像HF-HNO3酸性系统会生成有·的NOx气体污染大气。另外,碱性系统与硅反应,硅片清洗台,基本处于受控状态。有利于大面积硅片的腐蚀,可以保证一定的平行度。


半导体器件生产中硅片须经严格清洗。微量污染也会导致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染杂质,包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态,有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面。有机污染包括光刻胶、有机溶剂残留物、合成蜡和人接触器件、工具、器皿带来的油脂或纤维。无机污染包括重金属金、铜、铁、铬等,严重影响少数载流子寿命和表面电导;碱金属如钠等,引起严重漏电;颗粒污染包括硅渣、尘埃、xi菌、微生物、有机胶体纤维等,会导致各种缺陷。清除污染的方法有物理清洗和化学清洗两种。


在电子行业,硅片刻蚀台,非常重要,无论是电子厂的批量生产还是维修点的单块电路板都需要将其彻底清洗干净,以免污垢或者焊锡对电路产生影响,甚至可能短路。使用超声波清洗是目前最为有效的手段,一台超声波清洗机即可实现批量清洗电路板,常州硅片,目前超声波清洗电路板主要有三大功效:


清除松香锡珠

电路板在过锡炉后或者焊接电子元器件后会粘上焊锡,甚至会形成一些粘连得较牢固的锡珠,而在焊接元器件管脚时也会使用到松香,焊接后会留下一块块黑色的污渍,硅片刻蚀机,这既影响到电路板的外观,也可能会导致电路板短路烧坏,因此在电子车间,需要使用超声波清洗机清除电路板上的松香锡珠。一般对于小批量的清洗使用台式单槽超声波清洗机即可,如果是大批量生产就需要用到多槽机甚至是全自动清洗线了。

去除灰尘

这主要在电路板维修时用得较多,特别是电脑主板、电视机主板等较大电器上用的电路板居多,由于长期使用,这些电器内部难免会积累大量灰尘,主板上也会粘上厚厚的一层,因此在维修前必须清洗干净。使用超声波清洗机只需将主板放入清洗槽中,放入适量酒精或者洗板水,清洗十来分钟即可彻底清洗干净,不留死角。



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