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步进重复投影曝光（Stepping-repeating Project Printing或称作Stepper）。80年代末～90年代，光刻机，0.35μm（I line）～0.25μm（DUV）。掩膜板缩小比例（4：1），曝光区域（Exposure Field）22×22mm（一次曝光所能覆盖的区域）。增加了棱镜系统的制作难度。
光刻机
光刻工艺通过曝光的方法将掩模上的图形转移到涂覆于硅片表面的光刻胶上，厦门进口光刻机，然后通过显影、刻蚀等工艺将图形转移到硅片上。光刻工艺直接决定了大规模集成电路的特征尺寸，厦门光刻机厂，是大规模集成电路制造的关键工艺。作为光刻工艺中最重要设备之一，光刻机一次次革命性的突破，使大规模集成电路制造技术飞速向前发展。
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