清洗的注意事项：
(1)关机重启后，时间间隔1分钟以上，否则可能会造成电气损坏；
(2)设备运行中，无锡腐蚀，注意去离子水流量不得超过允许值，否则可能由于排放受阻而造成机器损坏；
(3)每次运行完毕后取出片子时，半导体腐蚀设备，注意卡塞口是否朝上，纠正后再取出，否则片子会掉出来；
(4)一旦发现水路的关联件出现“漏水”、“滴水”现象应立即关机，检修后再运行。
为了应对硅表面的非平面性问题，湿法腐蚀台，晶圆清洗技术至少受到三个不同前沿加工技术的挑战。首先涉及的是CMOS加工。在器件几何形状不断减小时，尖端数字CMOS技术方面的挑战是保持栅结构有足够的电容密度，晶圆腐蚀，这是在栅长度减小时维持足够高驱动电流所需要的。一个途径是采用比SiO2介电常数高的栅电介质，另一途径是通过三维结构MOS栅极以增加栅面积又不增加单元电路面积，再一个途径就是二者的结合。
干法清洗：
对于已经氢还原的MCP，因为二次电子发射层已经形成，如果采用化学清洗或湿法清洗容易造成对MCP电性能的破坏，并可能产生清洗介质对MCP的再次污染。因此氢还原后的MCP，一般选用干法清洗，主要包括等离子清洗、辉光放电、紫外清洗等清洗技术。
