所谓直接等离子体，亦称作反应离子蚀刻，是等离子的一种直接浸蚀形式。它的主要优势是高的
蚀刻率和高的均匀性。直接等离子体具有较低浸蚀，但工件却暴露在射线区。顺流等离子是种较弱的工艺，四平等离子，它适合去除厚为1～5nm的薄层。在射线区或等离子中，低温等离子，人们担心工件受到损坏，目前，常压等离子设备，这种担心还没有证据，看来只有在重复的高射线区和延长处理时间到60～120min才能发生，正常情况下，这样的条件只在大的薄片及不是短时的清洗中。
等离子体所承担的首‘个国家重点研发项目启动会召开
国家重点研发计划“大科学装置前沿研究”重点专项“高密度下加热及电流驱动效率和协同效应研究”项目启动会召开
10月10日，国家重点研发计划“大科学装置前沿研究”重点专项“高密度下加热及电流驱动效率和协同效应研究”项目启动会在等离子体所召开。科技部高技术研究发展中心、项目专家组、等离子体所以及项目课题成员共五十余人与会。詹文龙院士担任项目专家组组长。
