等离子去除光致抗蚀剂
在晶片制造工艺中，美国等离子，使用氧等离子体去除晶片表面抗蚀刻(photoresist)。干式工艺唯’一的缺点是等离子体区的活性粒子可能会对一些电敏感性的设备造成损害。为了解决这一问题，人们发展了几种工艺，其一是用一个法拉第装置以隔离轰击晶片表面的电子和离子;另一种方法是将清洗蚀刻对象置于活性等离子区之外。(顺流等离子清洗)蚀刻率因电压、气压以及胶的量而定，典型的刻蚀率为100nm/min，正常需要10min。
等离子体(plasma)又叫做电浆，是由部分电子被剥夺后的原子及原子团被电离后产生的正负离子组成的离子化气体状物质，尺度大于德拜长度的宏观电中性电离气体，等离子，其运动主要受电磁力支配，等离子表面处理机，并表现出显著的集体行为。它广泛存在于宇宙中，等离子，常被视为是除去固、液、气外，物质存在的第四态。等离子体是一种很好的导电体，利用经过巧妙设计的磁场可以捕捉、移动和加速等离子体。等离子体物理的发展为材料、能源、信息、环境空间、空间物理、地球物理等科学的进一步发展提供了新的技术和工艺。
