湿法清洗 ：
湿法清洗采用液体化学溶剂和DI水氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、有机物及金属离子污染。通常采用的湿法清洗有RCA清洗法、稀释化学法、 IMEC清洗法、单晶片清洗等。
（1）不锈钢原料的机器设备外表存积着富含其它金属元素的粉尘或许是杂类金属颗粒的附着物，晶圆腐蚀台，在湿闰的空气中，附着物与不锈钢间的冷凝水珠水滴，把两者连成一个微电池，引发了电化学反响，保护膜遭到电化学侵蚀损坏。
2）在不锈钢外表粘附了有机物汁液，例如菜汁、面汤、痰液等，在有水氧情况下，就会构成有机酸，在较长时刻的效果下，湿制程腐蚀机，就会构成有机酸对金属外表进行侵蚀而变成生锈。
（3）在不锈钢原料设备外表粘附富含酸、碱、盐类物质，例如刷墙面的碱水、石灰水等，SPM腐蚀设备，这也会引起部门的金属被侵蚀而生锈。
在半导体湿式清洗制程中，晶圆 (湿式) 清洗制程主要是希望藉由化学药品与清洗设备，清除来自周遭环境所附着在晶圆表面的脏污，宿迁腐蚀，以达到半导体组件电气特性的要求与可靠度。过去 RCA 多槽湿式清洗一直是晶圆清洗的主要技术，不过随着近年来制程与清洗设备的演进，不但在清洗制程中不断产生新的技术，也随着半导体后段封装技术的演进，清洗设备也逐渐进入封装厂的生产线中。
