等离子去除光致抗蚀剂
在晶片制造工艺中，使用氧等离子体去除晶片表面抗蚀刻(photoresist)。干式工艺唯’一的缺点是等离子体区的活性粒子可能会对一些电敏感性的设备造成损害。为了解决这一问题，人们发展了几种工艺，其一是用一个法拉第装置以隔离轰击晶片表面的电子和离子;另一种方法是将清洗蚀刻对象置于活性等离子区之外。(顺流等离子清洗)蚀刻率因电压、气压以及胶的量而定，典型的刻蚀率为100nm/min，等离子清洗，正常需要10min。
离子切割方法除一般形式外，重庆等离子清洗，派生出的形式还有水压缩等离子切割等。最常用的方法是一般等离子切割和空气等离子切割。折叠一般切割一般的等离子切割不用保护气，工作气体和切割气体从同一喷嘴内喷出。引弧时，喷出小气流离子气体作为电离介质;切割时，湖南等离子清洗，则同时喷出大气流气体以排除熔化金属。折叠空气切割空气等离子切割一般使用压缩空气作为离子气，这种方法切割成本低，气源来源方便。压缩空气在电弧中加热、分解和电离，生成的氧气切割金属产生化学放热反应，加快切割速度。充分电离了的空气等离子体的热焓值高，因而电弧的能量大，切割速度快。
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