等离子去除光致抗蚀剂
在晶片制造工艺中，等离子发生器，使用氧等离子体去除晶片表面抗蚀刻(photoresist)。干式工艺唯’一的缺点是等离子体区的活性粒子可能会对一些电敏感性的设备造成损害。为了解决这一问题，常压等离子清洗，人们发展了几种工艺，等离子清洗机，其一是用一个法拉第装置以隔离轰击晶片表面的电子和离子;另一种方法是将清洗蚀刻对象置于活性等离子区之外。(顺流等离子清洗)蚀刻率因电压、气压以及胶的量而定，等离子，典型的刻蚀率为100nm/min，正常需要10min。
等离子体的技术
60年代，美国离子弧公司以锆英砂为原料在直流电弧等离子体中一步裂解制备氧化锆。70年代末，中国以硼砂和尿素为原料，在直流电弧等离子体中制备高纯六方氮化硼粉，该法具有产品纯度高、成本低、工艺流程简单等优点。此外，还可利用等离子技术生产二氧化钛。
主要特点为：
①等离子体中具有正、负离子，可作为中间反应介质。特别是处于激发状态的高能离子或原子，可促使很多化学反应发生。
