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硅片清洗
简介
分类
物理清洗 物理清洗有三种方法。①刷洗或擦洗:可除去颗粒污染和大多数粘在片子上的薄膜。②高压清洗：是用液体喷射片子表面，led灯硅片，喷嘴的压力高达几百个大气压。高压清洗靠喷射作用，供应硅片，片子不易产生划痕和损伤。但高压喷射会产生静电作用，靠调节喷嘴到片子的距离、角度或加入防静电剂加以避免。③超声波清洗：超声波声能传入溶液，靠气蚀作用洗掉片子上的污染。但是，从有图形的片子上除去小于 1微米颗粒则比较困难。将频率提高到超高频频段，太阳能硅片，清洗效果更好。
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制造业的挑战
在硅片切割工艺中我们需要面对多项挑战，主要聚焦于线锯的生产力，也就是单位时间内生产的硅片数量。
生产力取决于以下几个因素：1) 切割线直径
更细的切割线意味着更低的截口损失，也就是说同一个硅块可以生产更多的硅片。然而，硅片，切割线更细更容易断裂。
2) 荷载
每次切割的总面积，等于硅片面积X每次切割的硅块数量X每个硅块所切割成的硅片数量 。
3) 切割速度
切割台通过切割线切割网的速度，这在很大程度上取决于切割线运动速度，马达功率和切割线拉力。
4) 易于维护性
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