等离子清洗机的产品特点:
● 采用美国霍尼韦尔真空压力传感器,清洗,性能稳定可靠;
● 采用美国气体浮子流量计,流量显示准确;
● 独特的双路气体控制方式,气体控制更加稳定;
● 手动,上海LCD基板清洗,自动两种工作模式,可以根据用户需求任意切换;
● 智能程序化控制,可编程,COF清洗,自动完成整个实验过程;
● 无需任何耗材,封装清洗,使用成本低,无需特殊维护,保持仪器清洁即可。
用等离子体清洗硅晶片表面上的光致抗蚀膜,称为腐蚀去除的脱膜过程。
图Io—35表示的是用等离子体对硅晶片的刻蚀过程和光致抗蚀膜的去除过程。是用不活泼气体CF4与活泼气体O2组成的等离子体共同作用。
对硅晶片的刻蚀目的是去除硅晶片表面未被光致抗蚀膜保护的二氧化硅。使用的刻蚀气体为CF4;刻蚀条件为200W, 40P9(0.3Torr)等离子体处理6~8min。其反应机理为: SiO2+4F*——>SiF4+02
由图10-35中的a.至b.的变化可见此过程。
而光致抗蚀膜的脱膜过程使用的等离子体处理所用的气体为O2;脱膜条件为 400W,133.3Pa(L 0Torr)等离子体:处理10min。